半導(dǎo)體芯片制造是對水質(zhì)要求嚴(yán)苛的工業(yè)領(lǐng)域之一，晶圓清洗、蝕刻、光刻膠剝離等工序均需大量使用超純水，水中微量離子、顆粒物或有機(jī)物都可能導(dǎo)致電路缺陷、良率下降甚至晶圓報廢。

　　半導(dǎo)體超純水系統(tǒng)的工藝設(shè)計需從原水水質(zhì)與產(chǎn)水標(biāo)準(zhǔn)兩端出發(fā)。預(yù)處理單元通常配置多介質(zhì)過濾器、超濾與活性炭過濾器，對原水中的懸浮物、膠體、余氯與有機(jī)物進(jìn)行深度去除，將進(jìn)水污染指數(shù)控制在較低水平。雙級反滲透采用Ryperm®曲線微導(dǎo)力膜系統(tǒng)，一級反滲透去除大部分溶解鹽類與有機(jī)物，二級反滲透進(jìn)一步脫除殘留離子與小分子有機(jī)物。

　　EDI電去離子單元在半導(dǎo)體系統(tǒng)中承擔(dān)深度脫鹽職責(zé)，模塊在直流電場作用下連續(xù)去除水中殘余離子，樹脂原位再生無需酸堿投加，產(chǎn)水電阻率穩(wěn)定達(dá)到15兆歐厘米以上。EDI濃水可回收至預(yù)處理前端，提升整體水利用率。終端精制單元由Huncotte®多頻改性吸附混床、除硼混床、185納米TOC紫外降解、真空脫氣膜與終端超濾組成。除硼混床采用靶向除硼樹脂，可將硼離子含量控制在3ppt以下，部分工藝可進(jìn)一步降至1ppt以下。

　　半導(dǎo)體生產(chǎn)線對供水連續(xù)性要求高，斷水可能導(dǎo)致整批晶圓報廢。萊特萊德在系統(tǒng)設(shè)計中采用關(guān)鍵單元冗余配置，如反滲透高壓泵一用一備、EDI膜堆分組運行、超純水箱設(shè)置合理緩沖容積，保障用水高峰期的穩(wěn)定供水。循環(huán)回水系統(tǒng)使超純水在管網(wǎng)中保持流動狀態(tài)，避免死水段滋生微生物與顆粒物沉積，回流水經(jīng)過終端精制單元后重新進(jìn)入供水主管，形成閉環(huán)循環(huán)。

　　系統(tǒng)自動化控制采用PLC加觸摸屏架構(gòu)，在線監(jiān)測電阻率、電導(dǎo)率、TOC、顆粒物、壓力、流量等關(guān)鍵參數(shù)，數(shù)據(jù)實時顯示并可存儲追溯。